A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、距边缘100mm以上
B、距边缘20mm以上
C、距边缘50mm以上
D、距边缘80mm以上
A、取中值作为结果
B、取最小值作为结果
C、取最大值作为结果
D、取平均值作为结果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夹具夹持宽度不小于75mm
D、上下夹具间距离为130mm。
A、试件任一端涂盖层不应与胎基发生位移
B、试件下端的涂盖层不应超过胎基
C、试件无流淌、滴落、集中性气泡
D、至少两个试件符合要求可判定为合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
A、断裂拉伸强度精确到0.1N/cm
B、断裂拉伸强度精确到1N/cm
C、扯断伸长率精确到1%
D、扯断伸长率精确到0.1%
A、2倍放大镜
B、4倍放大镜
C、6倍放大镜
D、8倍放大镜
A、拉力指标≥800N/50mm
B、最大拉力时伸长率指标≥40%
C、耐热性指标为70℃,2h无位移、流淌、滴落
D、低温柔性指标为-25℃,无裂纹
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰时延伸率
D、耐热性
A、拉力
B、低温柔性
C、耐热性
D、可溶物含量
最新试题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。