A、距边缘100mm以上
B、距边缘20mm以上
C、距边缘50mm以上
D、距边缘80mm以上
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A、取中值作为结果
B、取最小值作为结果
C、取最大值作为结果
D、取平均值作为结果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夹具夹持宽度不小于75mm
D、上下夹具间距离为130mm。
A、试件任一端涂盖层不应与胎基发生位移
B、试件下端的涂盖层不应超过胎基
C、试件无流淌、滴落、集中性气泡
D、至少两个试件符合要求可判定为合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
A、断裂拉伸强度精确到0.1N/cm
B、断裂拉伸强度精确到1N/cm
C、扯断伸长率精确到1%
D、扯断伸长率精确到0.1%
A、2倍放大镜
B、4倍放大镜
C、6倍放大镜
D、8倍放大镜
A、拉力指标≥800N/50mm
B、最大拉力时伸长率指标≥40%
C、耐热性指标为70℃,2h无位移、流淌、滴落
D、低温柔性指标为-25℃,无裂纹
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰时延伸率
D、耐热性
A、拉力
B、低温柔性
C、耐热性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低温柔性
D、耐热性
最新试题
PN结的基本特性是()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
改良西门子法的显著特点不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()