A、拉伸试样尺寸为200mm×25mm
B、夹持距离为120mm
C、拉伸速率为(100±10)mm/min
D、拉伸速率为(250±50)mm/min
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、对于整个试验应准备五个试件
B、在试样上距边缘100mm以上任意裁取
C、正方形试件尺寸为(100±1)mm×(100±1)mm
D、试件在试验前至少在(23±2)℃和相对湿度30%~70%的条件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
A、距边缘100mm以上
B、距边缘20mm以上
C、距边缘50mm以上
D、距边缘80mm以上
A、取中值作为结果
B、取最小值作为结果
C、取最大值作为结果
D、取平均值作为结果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夹具夹持宽度不小于75mm
D、上下夹具间距离为130mm。
A、试件任一端涂盖层不应与胎基发生位移
B、试件下端的涂盖层不应超过胎基
C、试件无流淌、滴落、集中性气泡
D、至少两个试件符合要求可判定为合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
A、断裂拉伸强度精确到0.1N/cm
B、断裂拉伸强度精确到1N/cm
C、扯断伸长率精确到1%
D、扯断伸长率精确到0.1%
A、2倍放大镜
B、4倍放大镜
C、6倍放大镜
D、8倍放大镜
最新试题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
改良西门子法的显著特点不包括()
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()