A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
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A.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
B.3mm、4mm厚度卷材弯曲直径为30mm,5mm厚度卷材弯曲直径为50mm
C.3mm厚度卷材弯曲直径为30mm,4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为30mm
A、拉伸试样尺寸为200mm×25mm
B、夹持距离为120mm
C、拉伸速率为(100±10)mm/min
D、拉伸速率为(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、对于整个试验应准备五个试件
B、在试样上距边缘100mm以上任意裁取
C、正方形试件尺寸为(100±1)mm×(100±1)mm
D、试件在试验前至少在(23±2)℃和相对湿度30%~70%的条件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
A、距边缘100mm以上
B、距边缘20mm以上
C、距边缘50mm以上
D、距边缘80mm以上
A、取中值作为结果
B、取最小值作为结果
C、取最大值作为结果
D、取平均值作为结果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夹具夹持宽度不小于75mm
D、上下夹具间距离为130mm。
A、试件任一端涂盖层不应与胎基发生位移
B、试件下端的涂盖层不应超过胎基
C、试件无流淌、滴落、集中性气泡
D、至少两个试件符合要求可判定为合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
最新试题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
热处理中氧沉淀的形态不包括()
下列是晶体的是()。