给定器件结构和掺杂分布，采用数值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬态特性和某些电学参数））。
A.系统功能设计B.逻辑和电路设计C.版图设计
最新试题
CMP的设备构成包括（）。
影响封装芯片特性的温度有（）。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）
常压的硅外延方法有（）。
进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）
