给定器件结构和掺杂分布，采用数值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬态特性和某些电学参数））。
A.系统功能设计B.逻辑和电路设计C.版图设计
最新试题
封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
鸟嘴效应造成的不良影响有（）。
掺杂后退火时间一般在（）。
目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
CE定律发展面临的问题包括（）。
光刻工艺对准误差包括（）。
CMP的设备构成包括（）。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
