晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

1.判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

2.判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

3.判断题与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

4.判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

5.判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

6.判断题刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。

7.判断题刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

8.判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。

9.判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。

10.判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。