A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
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A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
A.一次渗碳体
B.二次渗碳体
C.三次渗碳体
D.一次渗碳体和二次渗碳体
A.完全退火
B.再结晶退火
C.等温退火
D.去应力退火
A.不会在恒温下结晶
B.不会发生相变
C.都能进行形变强化
D.都能进行时效强化
A.其晶粒形状会改变
B.其机械性能会发生改变
C.其晶格类型会发生改变
D.其晶粒大小会发生改变
A.约40%
B.约4%
C.约0.4%
D.约0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低温正火
B.高温正火
C.高温退火
D.等温退火
最新试题
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
下列是晶体的是()。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
可用作硅片的研磨材料是()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。