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A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷却速度
D.过冷度
A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
A.一次渗碳体
B.二次渗碳体
C.三次渗碳体
D.一次渗碳体和二次渗碳体
A.完全退火
B.再结晶退火
C.等温退火
D.去应力退火
A.不会在恒温下结晶
B.不会发生相变
C.都能进行形变强化
D.都能进行时效强化
A.其晶粒形状会改变
B.其机械性能会发生改变
C.其晶格类型会发生改变
D.其晶粒大小会发生改变
A.约40%
B.约4%
C.约0.4%
D.约0.04%
最新试题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
热处理中氧沉淀的形态不包括()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();