A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷却速度
D.过冷度
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
A.一次渗碳体
B.二次渗碳体
C.三次渗碳体
D.一次渗碳体和二次渗碳体
A.完全退火
B.再结晶退火
C.等温退火
D.去应力退火
A.不会在恒温下结晶
B.不会发生相变
C.都能进行形变强化
D.都能进行时效强化
A.其晶粒形状会改变
B.其机械性能会发生改变
C.其晶格类型会发生改变
D.其晶粒大小会发生改变
A.约40%
B.约4%
C.约0.4%
D.约0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
最新试题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
在通常情况下,GaN呈()型结构。
PN结的基本特性是()
可用作硅片的研磨材料是()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()