如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

在通常情况下，GaN呈（）型结构。

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。  

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

下列哪个不是单晶常用的晶向（）

下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；

多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）