交流电阻的定义是（）

单项选择题交流电阻的定义是（）

A.电压除以电流
B.电压的变化除以电流的变化
C.电流除以电压
D.电流的变化除以电压的变化

1.单项选择题正向偏置的锗二极管电压大约为（）

A.0.7V
B.0.3V
C.0V

2.单项选择题正向偏置的硅二极管电压大约为（）

A.0.7V
B.0.3V
C.0V

3.单项选择题半导体二极管中有两种偏置，分别是（）

A.正、负
B.阻塞、非阻塞
C.开、闭
D.正向、反向

4.单项选择题半导体二极管中，PN结附近由正负离子组成的区域称为（）

A.中性区
B.复合区域
C.耗尽区
D.扩散区

5.单项选择题将杂质原子加入到纯净半导体材料的过程称为（）

A.复合
B.结晶
C.结合
D.掺杂

6.单项选择题自由电子存在于（）中。

A.价带
B.导带
C.最低的带
D.禁带

7.单项选择题半导体晶体里的原子由（）结合在一起。

A.金属键
B.亚原子粒子
C.共价键
D.价带

8.单项选择题当一个中性原子失去或得到一个价电子时，原子变成了（）

A.共价的
B.一种金属
C.一种晶体
D.一个离子

9.单项选择题MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大

10.单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断