简述正胶和负胶显影效果_考试资料网

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问答题简述正胶和负胶显影效果

参考答案： 正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，显影后图形与掩模版图形一样
负性光刻胶：曝光区域不溶解于显影液，显影后图形与...

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1.问答题简述光刻胶的概念及目的

参考答案：概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化
目的：
（1）将掩模版图案转移到...

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参考答案：

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4.问答题简述热扩散的三个步骤，以及它们的作用

参考答案：

5.问答题简述掺杂的两种方法

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6.问答题氧化层在芯片制备中有哪几方面的应用？

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（2）限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
（3）栅氧或储存器单元结...

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7.问答题简述常见的初级泵和高级泵。

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A.干性机械泵
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8.问答题工艺用气体通常分为哪两类？

参考答案：

9.问答题简述硅片清洗目标

参考答案：去除所有表面沾污（颗粒、有机物、金属、自然氧化层）

10.问答题晶体缺陷根据维数可分为哪四种？

参考答案：

点缺陷—空位、自填隙等
线缺陷—位错
面缺陷—层错
体缺陷