问答题晶体缺陷根据维数可分为哪四种?
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5.单项选择题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。
1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长;
2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上;
3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应;
4.CVD SiO2,温度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
6.填空题有限表面源扩散的杂质分布服从()分布。
9.填空题负胶适于刻蚀()(细/粗)线条。