简述硅片清洗目标

问答题简述硅片清洗目标

1.问答题晶体缺陷根据维数可分为哪四种？

点缺陷—空位、自填隙等
线缺陷—位错
面缺陷—层错
体缺陷

2.问答题GaAs相对Si的优点和缺点是什么？

3.问答题简述微芯片技术发展的主要趋势

4.问答题什么是关键尺寸（CD）？

5.填空题干法刻蚀适用于（）（粗/细）线条。

6.单项选择题 化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

7.填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

8.填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

9.填空题入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和（）碰撞。

10.填空题负胶适于刻蚀（）（细/粗）线条。