A.截止区
B.放大区
C.饱和区
D.击穿区
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A.基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D.集电极、基极、发射极
A.60
B.75
C.80
D.100
A.发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D.基极、集电极、发射极
PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。
A.A
B.B
C.C
D.D
测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
A.饱和状态
B.放大状态
C.倒置状态
D.截止状态
工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。
A.0.03mA 流出三极管ecb
B.0.03mA 流进三极管ecb
C.0.03mA 流出三极管ceb
D.0.03mA 流进三极管ceb
A.正向偏置时导通,反向偏置时截止
B.反向偏置时无电流流过二极管
C.反向击穿后立即烧毁
D.导通时可等效为一线性电阻
A.正常
B.断路
C.被击穿
D.短路
A.阻当层不变,反向电流基本不变
B.阻当层变厚,反向电流基本不变
C.阻当层变窄,反向电流增大
D.阻当层变厚,反向电流减小
A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
B.空穴增多,自由电子数目不变
C.自由电子增多,空穴不变
D.自由电子和空穴数目都不变
最新试题
现在定义了一个1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模块的结果用表达式表示为{co,sub}=a+b+ci,其中a,b为两个加数,ci为来自低位的进位,sum为和,co为向高位的进位,如果以此1位加法器构建四位加法器,同时定义顶层模块中的端口信号和中间变量的定义:下面通过层次调用的方式进行逻辑实现中的表达式正确的是()。
已知Nexys4开发板外部时钟信号频率为100MHz,数字钟用来产生秒信号的时钟信号频率为1Hz,若采用计数器对100MHz的外部时钟分频得到1Hz的秒信号,请问该计数器至少需要多少位?()
某次电路实验中,一同学按如下电路图连接电路,完成实验。其中D0,D1端为输入端,S0与S1为输出端。在实验过程中,该同学观测到输出端S0,S1端输出电平分别为逻辑高电平,逻辑低电平。请问此刻电路输入端D0,D1电平可能分别为()。
在下图中如果输入输出均有电容耦合,则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时,栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
CG放大器因其输入电阻过小,因此没什么用处。
一块通用面包板,公共条是三•四•三分段连通型,那么这块板上最多有()个插孔在内部是连通在一起的。
5.1K±5%欧姆的五环电阻的色环序列为()。
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
用作电压放大器时,CS放大器不合适的参数为()。