在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原...

问答题在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩散多长时间？然后，进行湿氧化，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？（湿氧速率很快，短时间的氧化，忽略磷向硅内部的推进）

1.问答题什么是沟道效应？如何才能避免？

2.问答题掺氯氧化为何对提高氧化层质量有作用？

3.问答题薄层氧化过程需注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？

4.问答题在SiO₂系统中存在哪几种电荷？他们对器件性能有些什么影响？工艺上如何降低他们的密度？

5.问答题SiO₂膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO₂网络结构中的作用和用途是什么？对SiO₂膜性能有哪些影响？

6.问答题异质外延对衬底和外延层有什么要求？

7.问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

8.问答题比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？

9.问答题从短期看，太阳能电池的发展趋势怎样？

10.问答题写出单晶硅太阳能电池的主要工艺。