半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。