MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

第一块集成电路发明于（）年。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。