最新试题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题