最新试题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题