最新试题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题