最新试题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题