最新试题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题