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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题