①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
①图形转移到光刻胶层 ②图形从光刻胶层转移到晶圆层
最新试题
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
光刻工艺的特点包括()。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
目前制备SOI材料的主流技术有几种?()
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个?()
CE定律发展面临的问题包括()。
光刻工艺的设备核心是()。