列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。_考试资料网

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问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。

参考答案： ①表面准备：清洁和干燥晶圆表面
②涂光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶
③软烘培：加热，部分蒸发...

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1.问答题光刻技术的图形转移分为哪两个阶段？

参考答案：

①图形转移到光刻胶层
②图形从光刻胶层转移到晶圆层

2.问答题什么叫做光刻，光刻有何目的？

参考答案：定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅...

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3.问答题说明金属CVD的优势和主要用途。

参考答案：LPCVD可以应用于制作金属薄膜
优势：
①不需要昂贵的高真空泵；
②台阶覆盖性好；

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4.问答题金属化的实现方法有几种？请论述真空溅射方法。

参考答案：

5.问答题VLSI对金属化的要求是什么？

参考答案：

6.问答题PECVD的机理？PECVD有何优势？

参考答案：

机理：等离子体由中性原子团、游离基、分子、离子、少量高能电子组成。
优势：可以较低温度下淀积薄膜，常是低温与低压结合

7.问答题淀积技术包括哪两种？

参考答案：①根据压强分：常压（AP）和低压（LP）
②根据反应室壁冷热分：热壁和冷壁
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8.问答题为什么要采用掺氯氧化，作用如何？

参考答案：若在氧化中加Cl器件性能与洁净度都会改善
作用：
A.减弱二氧化硅移动离子（主要钠离子）玷污影响

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9.问答题比较干氧化、湿氧化和水汽氧化的特点。

参考答案：

10.问答题常见的热氧化生长二氧化硅的方法有哪些？

参考答案：