问答题什么是半绝缘半导体材料?
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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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半导体的主要特征有()()()和()。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
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双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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第一块集成电路发明于()年。
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n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
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MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
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