最新试题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题