最新试题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题