最新试题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题