最新试题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题