问答题简述N型半导体。
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半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
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当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
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氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题