1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。