MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管阈值电压的单位是eV。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。