CMP清洗部分的顺序是（）。

单项选择题CMP清洗部分的顺序是（）。

A.兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆声清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆声清洗（Meg）

1.单项选择题高电流注入机的扫描方式为（）。

A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合

2.单项选择题下列选项属于BF₃的特性的是（）

A.黄色标识，有白烟
B.红色标识，臭大蒜味道
C.黑色标识，无色大蒜味

3.单项选择题离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于（）。

A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω

4.判断题Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。

5.判断题扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

6.判断题LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。

7.判断题氮化硅去除使用的是磷酸药液。

8.判断题驻波效应破坏了光刻胶图形侧壁的垂直性，也导致光刻胶CD测量的不稳定。

9.判断题硅片边缘匀胶后出现毛边异常，是因为EBR药液量不足。

10.判断题在产品加工过程中，除了光刻工序外，其他工序是不允许返工的。