A.禁带较窄
B.禁带较宽
C.禁带是间接跃迁型
D.禁带是直接跃迁型
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A.无杂质污染
B.受宇宙射线辐射
C.化学配比合理
D.晶体完整性好
A.本征半导体
B.金属
C.化合物半导体
D.掺杂半导体
A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压
A.处于绝对零度
B.不含任何杂质
C.不含任何缺陷
D.不含施主
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同
A.n
B.p
C.本征
最新试题
MOS管阈值电压的单位是eV。
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
第一块集成电路发明于()年。
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。