由于显影时的变形和膨胀,负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。 正性光刻胶。
1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。 2.在后续工艺中保护下面的材料。
最新试题
掺杂后,退火的目的是()。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
光刻工艺的设备核心是()。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
进行沟槽填充常用的金属材料是()。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
鸟嘴效应造成的不良影响有()。