问答题计一个通用0.25umCMOS工艺反相器,PMOS对NMOS的比为3.4,其中NMOS的最小尺寸(W=0.375um,L=0.25um,W/L=1.5),计算VM=1.25处的增益。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题
写出网络的性质,路径电阻的计算,共享电阻的计算。
3.问答题简述克服串扰的方法。
4.问答题简述半定制的设计流程。
5.问答题简述数字处理器的构成(四个模块)。
6.问答题简述施密特触发器的特性。
7.问答题简述时序逻辑电路中与寄存器有关的参数。
8.问答题简述动态逻辑门的特性。
9.问答题简述传输管逻辑的特性。
10.问答题说出降低大扇入延时的方法。
最新试题
制造和封装工艺过程中的材料性能是决定材料应用的关键,制造性能主要包括()。
题型:多项选择题
倒装芯片的连接方式有()。
题型:多项选择题
在近十年由于材料和设备的发展,同时伴随电子产品功能的日益增强,()再次来到大众视线
题型:单项选择题
载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。
题型:判断题
以下不属于打码目的的是()。
题型:单项选择题
为了获得好的性能,塑封料的电学性必须得到控制。
题型:判断题
引线键合的目的是将金线键合在晶片、框架或基板上。
题型:判断题
下面选项中硅片减薄技术正确的是()。
题型:单项选择题
收缩型四边扁平封装的引脚中心距离比普通的四边扁平要大,所以在封装体的边缘可以容纳更多的引脚个数。
题型:判断题
键合工艺失效,焊盘产生弹坑的原因有()。
题型:多项选择题