由理想二极管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压为()。
A.+6V
B.-6V
C.-18V
D.+18V
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A.空穴
B.自由电子
C.自由电荷
D.空穴和自由电子
A.正向
B.双向
C.单向
D.反向
A.锗
B.塑料
C.铜
D.云母
A.输入电阻小,输出电阻大
B.输入电阻小,输出电阻小
C.输入电阻大,输出电阻小
D.输入电阻大,输出电阻大
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
D.击穿区
A.基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D.集电极、基极、发射极
A.60
B.75
C.80
D.100
A.发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D.基极、集电极、发射极
PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。
A.A
B.B
C.C
D.D
测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
A.饱和状态
B.放大状态
C.倒置状态
D.截止状态
最新试题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
CG放大器因其输入电阻过小,因此没什么用处。
现在定义了一个1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模块的结果用表达式表示为{co,sub}=a+b+ci,其中a,b为两个加数,ci为来自低位的进位,sum为和,co为向高位的进位,如果以此1位加法器构建四位加法器,同时定义顶层模块中的端口信号和中间变量的定义:下面通过层次调用的方式进行逻辑实现中的表达式正确的是()。
verilog语法中,间隔符号主要包括()。
当VGS=0时,能够导通的MOS管为()
verilogHDL中已经预先定义了的门级原型的符号有()。
在下图中如果输入输出均有电容耦合,则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时,栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。
在verilogHDL的数字表达方式用,和十进制数127表示的数字相同的表达方式有()。
TTL或非门组成的逻辑电路如图所示,当输入为以下哪种状态时会出现冒险现象?()
CS放大器中引入源极电阻RS,其作用有()。