A.空穴
B.自由电子
C.自由电荷
D.空穴和自由电子
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A.正向
B.双向
C.单向
D.反向
A.锗
B.塑料
C.铜
D.云母
A.输入电阻小，输出电阻大
B.输入电阻小，输出电阻小
C.输入电阻大，输出电阻小
D.输入电阻大，输出电阻大
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
D.击穿区
A.基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D.集电极、基极、发射极
A.60
B.75
C.80
D.100
A.发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D.基极、集电极、发射极
PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
A.饱和状态
B.放大状态
C.倒置状态
D.截止状态
工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
A.0.03mA 流出三极管ecb
B.0.03mA 流进三极管ecb
C.0.03mA 流出三极管ceb
D.0.03mA 流进三极管ceb
最新试题
某次电路实验中，一同学按如下电路图连接电路，完成实验。其中D0，D1端为输入端，S0与S1为输出端。在实验过程中，该同学观测到输出端S0，S1端输出电平分别为逻辑高电平，逻辑低电平。请问此刻电路输入端D0，D1电平可能分别为（）。
CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
可以通过新增以下哪些类型文件添加ChipScope调试IP核？（）
若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。
CD放大器的性能特征有（）。
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
现在定义了一个1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模块的结果用表达式表示为{co，sub}=a+b+ci，其中a，b为两个加数，ci为来自低位的进位，sum为和，co为向高位的进位，如果以此1位加法器构建四位加法器，同时定义顶层模块中的端口信号和中间变量的定义：下面通过层次调用的方式进行逻辑实现中的表达式正确的是（）。
CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。
电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。