在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度ND=2×1014cm-3。
(1)求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P型或N型。
(2 )若再掺入受主杂质,其浓度NA=3×1014cm-3,重复(1)。
(3)若ND=NA=1015cm-3,重复(1)。
(4)若ND=1016cm-3,NA=1014cm-3,重复(1)。
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在下图中如果输入输出均有电容耦合,则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时,栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。
A.增大,不变,减小
B.不变,增大,不变
C.不变,不变,减小
D.增大,不变,增大
A.CS组态
B.源极带电阻的CS组态
C.CG组态
D.CD组态
A.999.9MHz
B.99.99MHz
C.9999Hz
D.999.9KHz
A.过程描述方式
B.行为描述方式
C.数据流描述方式
D.寻迹描述方式
A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
A.864ms
B.12小时
C.864us
D.864s
A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低
A.ChipScope Defintion and Connection Files
B.IP
C.Verilog Test Fixture
D.VHDL Package
A.60秒计数器
B.定时模块
C.校时、计时模块
D.60分计数器
A.高,高
B.高,低
C.低,高
D.低,低
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已知Nexys4开发板外部时钟信号频率为100MHz,数字钟用来产生秒信号的时钟信号频率为1Hz,若采用计数器对100MHz的外部时钟分频得到1Hz的秒信号,请问该计数器至少需要多少位?()
以下哪个MOS放大器组态结构最适合用在电压信号处理系统的最后一级?()
当VGS=0时,能够导通的MOS管为()
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假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。
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verilogHDL的基本结构中通常需要进行模块范围的定义,VerilogHDL的模块范围的定义的开始和结束方式是()。