集成电路工艺原理章节练习(2018.12.06)

连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，是多数。

在单晶衬底上按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术。

通过使用特定的溶液与需要被腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。

离子从进入靶到停止为止走过的总距离。

杂质总量恒定；杂质分布为高斯函数分布（Gaussian）；表面浓度随着时间下降，结深随着时间增加。

化学机械抛光。