集成电路技术章节练习(2020.01.10)

来源：考试资料网

1.填空题离子注入系统结构一般包括（）等部分。

参考答案：离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室

2.问答题切片可决定晶片的哪四个参数？

切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。

3.问答题二维电子气是如何形成的？

当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，就会积累起大量的电子

4.判断题传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。

5.填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

参考答案：掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质

6.问答题液态生长有什么优缺点？

最简单最廉价但其外延层的质量不高

7.问答题著名的集成电路分析程序是什么？有哪些著名公司开发了集成电路设计工具？

SPICE程序Cadence、Synopsis和MentorGraphics等公司

8.问答题离子注入后为何退火？

参考答案：因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后...

9.问答题扩散源有哪些存在形态？

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

10.问答题集成电路设计中的分布元件主要指哪些？

包括微带（Micro-strip）和共面波导（CPW，CoplaneWaveGuidE.型的传输线。