集成电路技术综合练习章节练习(2020.05.05)
来源：考试资料网
参考答案：
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
参考答案：对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的，而是将沿沟道运动并且很少受... 参考答案：去掉TTL门的高电平的驱动级，oc门输出端用导线连接起来，接到一个公共的上拉电阻上，实施线与，此时就不会出此案大电流灌入... 参考答案：
发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集
参考答案：测试生成：是指产生验证电路的一组测试码又称为测试矢量
测试验证：指一个给定测试集合的有效性测度，通常是通过故障... 参考答案：Pdyn由充放电电容引起的动态功耗；Pdp直流通路电容引起的功耗；Pstat静态功耗 参考答案：MOS管的阈值电压VT与衬底的掺杂浓度Na密切相关，掺杂浓度越大，VT的值越大。
用离子注入的方法可以控制Na... 参考答案：①多层电极有用于微波晶体管、超高频低噪声管等器件的铝基系统和用于高频大功率管的金基系统两种。
②大体可分为四层... 参考答案：
衬底材料制备；埋层的形成；N型外延层的形成；隔离区的形成；晶体管基区的形成；晶体管发射区和引线孔的形成；金属化的形成。
