集成电路技术综合练习章节练习(2019.04.27)
来源：考试资料网
参考答案：基区薄层电阻扩散完成后，还有多道高温处理工序，所以杂质会进一步往里边推，同时表面的硅会进一步氧化。形成管子后，实际电阻比... 参考答案：
PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸
参考答案：输出高电平偏低：VCE3和R5上的电压过大，可以通过减小VCE3和IC3来实现。
输出高电平偏高：VCE5上的... 参考答案：
由一些基本材料，如在Si，GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。
参考答案：因为氧化层中如含有高浓度的钠，则线性和抛物型氧化速率常数明显变大。措施有：加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯... 参考答案：以CMOS工艺为基础的BiCMOS；
工艺和以双极工艺为基础的BiCMOS；
工艺以CMOS工艺为基... 参考答案：
包括微带（Micro-strip）和共面波导（CPW，CoplaneWaveGuidE.型的传输线。
参考答案：采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用
双极性...
