按衬底材料有Si,GaAs,InP按场形成结构有J/MOS/MES按载流子类型有P/N按沟道形成方式区分有E/D
发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集
双极性集成电路中最常用的电阻器是基区扩散电阻;MOS集成电路中常用的电阻有多晶硅电阻和用MOS管形成的电阻。
HBT具有很强的电流驱动能力;适用于模拟信号的功率放大和门阵列逻辑的输出缓冲电路设计。