集成电路技术章节练习(2020.01.11)

来源：考试资料网

1.判断题CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。

2.问答题什么是MOS器件的体效应？

参考答案：MOS工艺中，N管衬底接最低电位，P管衬底接最高电位；但它们的源极却未必与衬底电位相同，于是源衬存在电压差，这个电压差将...

3.问答题集成电路主要有哪些基本制造工艺？

参考答案：集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。

4.名词解释Chipless

既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。

5.问答题集成电路测试的意义和基本任务？

参考答案：意义：集成电路（IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它对促进集成电路的进步和应用作出了巨大地贡献。
任务...

6.判断题硅热氧化形成SiO₂体积将增加约1倍。

7.问答题试画出MOS器件跨导与源漏电压的函数曲线。

8.问答题MOS管是图元之一，它的可变参数有哪些？

栅长、栅宽、栅指数

9.问答题OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？

参考答案：去掉TTL门的高电平的驱动级，oc门输出端用导线连接起来，接到一个公共的上拉电阻上，实施线与，此时就不会出此案大电流灌入...

10.判断题CD是指硅片上的最小特征尺寸。