试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

集成电路电阻可以通过（）产生。

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

晶体管的名字取自于（）和（）两词。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。