简述硼和磷的退火特性。
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
最新试题
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
解释离子束扩展和空间电荷中和。
叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
描述化学机械平坦化工艺。
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
例举离子注入设备的5个主要子系统。
例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
